基本信息
考点57 从原理迁移中突破电学实验例 霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的p、q间通入电流i,同时外加与薄片垂直的磁场b,在m、n间出现电压uh,这个现象称为霍尔效应,uh称为霍尔电压,且满足uh=kibd,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数. 图1 (1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图11所示,该同学用电压表测量uh时,应将电压表的“+”接线柱与________(填“m”或“n”)端通过导线相连. (2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度b=0.10 t不变,改变电流i的大小,测量相应的uh值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出uh—i图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10-3 v•m•a-1•t-1(保留2位有效数字). i(×10-3 a) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0 uh(×10-3 v) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8